5nm以下的半导体技术,可能被日本科学家攻克了一部份?

如果说近年来最热门的技术领域是半导体,更确切地说是芯片。因为随着科学技术的发展,一切都需要芯片,甚至人体也需要植入芯片。

至于工艺,芯片主要分为三个部分,一是设计,二是制造,三是封装和测试。其中,在制造业领域,我们相对落后。最先进的SMIC技术在14纳米,而TSMC已经在7纳米,今年将进入5纳米的进程。

然而,随着芯片技术越来越先进,达到另一个水平变得越来越困难。例如,从5纳米到3纳米的下一步不同于从7纳米到5纳米的步骤。有许多问题需要解决。

韩国媒体早些时候宣布,三星已经成功开发了该行业的第一个3nm工艺,预计将于2022年开始大规模生产。与5纳米相比,3纳米工艺可以将芯片尺寸减小35%,功耗降低50%,性能降低30%,而TSMC表示最早将在2022年进入3纳米。

根据目前的主流媒体,3nm技术将取代以前的鳍式场效应晶体管技术,采用砷化镓多桥沟道场效应晶体管(GAA MCFET)技术。然而,由于没有人实际生产它,没有人能肯定它是否会是gaamacfet技术。

然而,最近日本科学家在半导体技术方面取得了一些新的突破,这可能有助于这些芯片制造商更顺利地进入5纳米以下的制造过程。

这项技术具体意味着什么?来自东京理工大学和社交网络的科学家设计了世界上最小的全数字锁相环。

许多人可能不知道锁相环是什么,但它实际上是所有数字应用中的关键时钟电路。缩小其规模和提高其性能是实现下一代技术发展的必要步骤。

我们知道芯片实际上是由电路组成的。芯片的制造过程是在有几十层电路的硅片上雕刻电路图。最小的全数字锁相环技术可以在5纳米或更小的工艺中发挥更好的作用,帮助芯片制造商更好地在硅片上雕刻电路,这也是关键技术之一。

当然,这项技术目前还只是理论上的。从理论到实践,它仍然需要大量的应用。然而,3nm芯片仍处于理论研究阶段,尚未大规模生产,因此将会有大量的相关研究。

但无论如何,中国仍然落后于国际水平,需要更加努力学习,加快步伐,尽快赶上国际水平。到那时,中国核心将不再被他人控制。